Intel non rinuncia alla Legge di Moore
Annuncia l’arrivo dei principali componenti della prima tecnologia EUV High-NA inviata da ASML.
Intel insiste con la Legge di Moore e celebra l’arrivo dei principali componenti della prima tecnologia EUV High-NA inviata da ASML per continuare lo sviluppo oltre i cinque nodi in quattro anni.
Questo è stato quanto comunicato tramite la piattaforma social X. Intel implementerà questa tecnologia per promuovere la roadmap di innovazioni in transistor, con la speranza di iniziare a produrre con EUV High-NA a partire dal 2025.
Quasi 12 anni fa, Intel stringeva una partnership con ASML e perfezionava il primo ordine di acquisto per il sistema TWINSCAN EXE:5200 con l’obiettivo di avanzare nella tecnologia litografica di semiconduttori. Questo sistema offre apertura numerica di 0,55 e produttività di oltre 200 wafer l’ora.
“Rispetto ai sistemi EUV attuali, la nostra innovativa roadmap EUV allargata offre miglioramenti litografici continui con minore complessità, costi, tempo di ciclo ed energia di cui il settore chip ha bisogno per promuovo una scalabilità accessibile fino all’inizio del prossimo decennio”, spiega Martin van den Brink, CTO di Intel.
“L’obiettivo di Intel è rimanere attore all’avanguardia nella tecnologia litografica di semiconduttori”, segnala Ann Kelleher, direttrice generale di Sviluppo Tecnologico di Intel.
“Lavorando a stretto contatto con ASML, sfrutteremo il modello di alta risoluzione di EUV High-NA come uno dei modi per portare avanti la Legge di Moore e mantenere la nostra solida storia di progresso verso le geometrie più minute”.
